技术编号：7102019
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及新型HIT太阳能电池结构，尤其是一种能够降低HIT太阳能电池中AZO电阻率的太阳能电池。背景技术HIT太阳能电池是由日本三洋公司首创的一种高效太阳能电池，其结构主要包括N和P型重掺杂的非晶硅薄膜，以及高透过率低电阻率的TCO薄膜，但是N和P型重掺杂造成非晶硅薄膜结构发生改变，影响少子寿命降低开路电压，以及ITO价格较高，影响电池硅成本,对HIT太阳能进一步发展产生一定影响。发明内容本发明要解决的技术问题是提出一种既能减少缺陷符合中心提高少子寿命，...
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