技术编号:7102071
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件设计领域,特别是指一种超级结MOSFET的元胞结构。背景技术传统的超级结结构应用于N型纵向功率MOS器件,即N型C00LM0S结构,如图1所示,其是在重掺杂的N型硅衬底101上具有水平分布的两轻掺杂P型区102,两轻掺杂的P型区102之间具有一轻掺杂N型外延漂移区103,上部左右分别具有重掺杂的P型阱区104和位于P型阱区104中的重掺杂N型区105 (源漏区),中间的沟道区上方淀积多晶硅栅极。该结构导通过程中只有多数载流子——电子,而...
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