技术编号：7102078
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及功率MOS器件，特别涉及用4块光刻版来实现的深沟槽功率MOS器件 及其制造方法，主要应用在20V 40V的大功率MOS器件中。背景技术深沟槽功率MOS器件是在平面式功率MOS器件的基础上发展起来的。与平面式功 率MOS器件相比，其具有导通电阻低、饱和压降低、开关速度快、沟道密度高、芯片尺寸小等 优点；采用沟槽式结构，消除了平面式功率MOS器件存在的寄生JFET(结型场效应管)效 应。目前深沟槽功率MOS器件已经发展成为中低压大功率MOS器件的主流...
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