技术编号：7102181
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体光电子学，具体涉及具有集成微透镜的垂直外腔面发射半导体激光器。背景技术VCSEL是一种垂直表面出光的半导体激光器，它具有阈值低，功率密度高，易于单片集成等优点，在信息存储、空间通讯和卫星导航等领域有着重要应用。随着应用领域的扩展，减小器件的发散角及光谱线宽是近年来研究的热点。现有的垂直腔面发射半导体激光器结构由下至上依次包括N面电极、衬底、缓冲层、N型DBR、有源区、氧化限制层、P型DBR和P面电极；由于DBR结构的均匀反射特性，使 得器件...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。