技术编号：7102305
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体膜的制备方法，特别涉及。背景技术硒(Se)是一种P型非本征半导体，间接带隙约为I. 6eV。由于硒具有很高的光导性、优异的单向导电性(光导率为8X104S/cm2)、灵敏的光响应性、比较大的压电效应和热电效应，因此它是一种相当有用而且用得比较广泛的一种无机材料。目前，制备纳米硒的方法很多，如1.室温/升温还原法。Cao X Y等在室温下采用NaBH4和Se反应得到了 Se的纳米线和纳米棒。厦门大学的谢兆雄教授研究组发现三方和单斜相的硒微...
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