技术编号：7102368
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域，更具体地，本发明涉及一种。背景技术本发明的实施例大体上涉及的是半导体器件的制造，尤其是在制造过程中半导体 晶圆的清洁方法。半导体器件制造发展的最近趋势包括将除了硅这种典型的选择之外的材料引入 用于形成该器件。例如，II1-V材料，如锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、InP、和InGaAs已经被使用 在先进的技术节点中。这些材料的优势在于具有更多的空穴或电子运动以及功函数调整。 因此，在使用先进的材料时(例如，在半导体器件的通道区域内)可...
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