技术编号:7102373
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。各种实施方式总体上涉及。背景技术目前半导体裸晶(裸片,dies)或芯片的制造通常包括所谓的切割,即将单独的裸晶或芯片从衬底上的单分,代表性地晶片衬底或短晶片(short,wafer)。对于各种类型的衬底,可以通过衬底的机械锯割实现切割。对于某些类型的衬底,如,例如碳化硅(SiC)衬底,虽然由于衬底材料(例如SiC)的特殊机械材料性质,衬底的机械锯割可能是困难和/或昂 贵的。例如,在这种情况下,衬底的机械锯割可能显现出低的锯割速度和/或导致锯割刀片的高度消耗...
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