技术编号:7102491
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,尤其涉及半导体器件中MOS晶体管的形成方法。背景技术现有技术中,不论什么功能的半导体器件,基本上半导体器件中通常均会包括多个晶体管,通过互连结构将这些晶体管连接起来实现一定功能。这些晶体管一般分为四类,分别为低压NMOS晶体管,低压PMOS晶体管,高压NMOS晶体管和高压PMOS晶体管。现有技术中,形成半导体器件中的晶体管的方法为首先,提供基底;接着,在基底上形成栅介质层;之后,在栅介质层上形成多晶硅层,对多晶硅层进行光刻、刻蚀形成第 一...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。