技术编号：7102704
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及硅膜的形成方法及其形成装置。背景技术半导体装置等的制造エ艺中存在如下エ序在硅基板上的层间绝缘膜上形成凹槽、孔形状的槽(接触孔)，填埋例如掺杂杂质的多晶硅膜和非晶硅膜等硅膜(Si膜)形成电极的エ序。作为这样的エ序，例如，在专利文献I中公开了在硅基板上的层间绝缘膜形成接触孔，用CVD (Chemical Vapor Deposition)法形成多晶娃膜,在对该多晶娃膜稍微进行蚀刻后，再次形成多晶硅的方法。专利文献I 日本特开平10-321556号公报...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。