技术编号：7102708
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路领域，特别是涉及ー种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法。背景技术为了满足超大規模集成电路(VLSI)发展的需要，新颖的3D堆叠式封装技术应运而生。它用最小的尺寸和最轻的重量，将不同性能的芯片和多种技术集成到单个封装体中，是ー种通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制造垂直电学导通，实现芯片之间互连的 最新的封装互连技术，与以往的IC封装键合和使用凸点的叠加技术不同，所述的封装互连技术是采用TSV (穿硅通孔)代替了 2D-CU互连...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。