技术编号:7102755
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及ー种深亚微米刻蚀槽制作方法,特别是涉及半导体激光器和光电子集成器件中一种基于紫外光刻エ艺的深亚微米刻蚀槽制作方法。背景技术在光通信领域,光纤的发展为通信产业的历史改变了长距离数字通信的工作模式。而在光纤通信光源制作,目前多种形式的各类激光光源的进ー步发展和与其他期间的大規模集成,也将大大改变当前光通信领域的现状,对军事及民用通信系统的开发产生深远影响。如同IC芯片的概念,半导体激光器(Laser Diode,简称LD)就是利用与传统半导体エ艺(C...
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