技术编号:7102950
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子领域,尤其涉及一种一种监测F元素离子注入制程均一性与稳定性的方法。背景技术随着集成电路工艺的发展以及按比例尺寸缩小,器件的控制越来越精细,离子注入对器件性能起到关键作用,比如F元素离子注入对很多关键的电性参数有很大影响,负偏压温度不稳定性(NBTI Negative Bias Temperature Instability)就是其中之一。目前针对F原子团(如BF2)的脱机监测主要通过测量薄层电阻Rs数数值进行,但是此种方法由于需要将探针扎入...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。