技术编号：7102958
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子领域，尤其涉及一种利用非对称分层势垒提高SONNS结构器件可靠性的方法。 背景技术闪存是非易失存储器件的一种，传统的闪存利用多晶硅浮栅极来存储数据，由于多晶硅是导体，浮栅极存储的电荷是连续分布的。当有一个泄漏通道的时候，整个浮栅极中存储的电荷都会通过这个泄漏通道而丢失。最近发展的SONOS结构，用具有捕获电荷能力的氮化硅层取代原有的多晶硅存储电荷层，由于其用陷阱能级存储电荷，所以存储的电荷是离散分布的。这样一个泄漏通道不会引起大的漏电流，因...
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