技术编号：7103218
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术选择性发射极结构是晶体硅太阳能电池生产工艺中实现高效率的方法之一，选择 性发射极结构有两个特征1)在电池栅线区域形成高掺杂深扩散区；2)在电池非栅线区域 形成低掺杂浅扩散区，这两个特征既解决了死层问题，又减少了硅片表面和金属电极之间 的接触电阻，从而提高了开路电压、短路电流和填充因子，提高了太阳能电池光电转换的效率。 目前常规实现太阳能选择性发射极的方法为二次扩散的方法，例如先在硅片表 面生长一层二氧化硅薄膜，再腐蚀出栅线形状，再进行磷...
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