技术编号:7103312
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及的是一种快速退火方法,具体是涉及。背景技术碳化硅(SiC)材料是自第一代元素半导体材料(Si)和 第二代化合物半导体材料(GaAs,GaP,InP等)之后发展起来的第三代宽带隙半导体材料。SiC材料由于具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速度等特点,特别适合制作微波大功率、高压、高温、抗辐照电子器件,在国民经济各方面具有广泛的应用。当前,SiC器件的研制已经成为研究热点。SiC是化合物半导体中唯一能够由热氧化形成Si02的材料,因...
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