技术编号:7103626
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,更具体地,涉及具有改进的暗电流性能的图像传感器。背景技术半导体图像传感器用于感测诸如光的辐射。互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)和电荷耦合元件(CCD)传感器被广泛使用在诸如数字静态照相机或移动电话照相机的多种应用中。这些器件利用在衬底中的像素阵列,包括二极管和晶体管,可吸收向衬底投射的辐射并将感测到的辐射转换为电信号。背照式(BSI)图像传感器器件是一种类型的图像传感器器件。这些BSI图像传感器器件可操作地检测从背侧投...
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