技术编号:7103632
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及的是三维纳米多孔InP阵列结构材料制备方法。用于纳米光电子制造和光子晶体材料及器件领域。背景技术新型高性能光电子材料、器件与系统将依赖于纳米技术的发展。利用纳米技术对实现高性能光电子器件,如高灵敏度光电传感器、高集成密度光电子纳米器件等具有十分重要的现实意义和社会影响。尤其是紫外-可见光波段的光子晶体的发展,对未来的通讯、光学、生物等领域均会产生重大影响。但是,由于光子晶体对特征单元尺寸的严格要求,使其在紫外-可见光波段的制备技术远远落后于其理论...
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