技术编号:7103642
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及接合构造及半导体制造装置。具体地,本发明涉及向埋设在陶瓷构件中的金属端子上接合连接构件的构造,具有向埋设的电极提供电力的连接构件的接合构造以及具有该接合构造的半导体制造装置。背景技术在蚀刻装置或CVD装置等的半导体制造装置领域中,使用陶瓷构件中埋设电极的 静电夹头等半导体用基座。例如在氮化铝或细密质铝基材中埋设电极作为用于发生等离子的放电电极的半导体用基座,在氮化铝、或铝基材中埋设金属电阻体(加热器)的CVD等热处理工序中作为用于控制晶片温度的陶...
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