技术编号:7103676
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及功率半导体器件,更具体地,涉及具有电极阵列结构的功率半导体器件,该电极阵列结构配置为改善均匀的电流扩展和正向电流。背景技术肖特基二极管,一种功率半导体器件,被使用在包括电源器件、汽车、通讯装置等的各个领域中。随着能量消耗的增加,高能量效率以及高 速度和高功率被要求作为肖特基二极管的特性。为了实现以上特性,需要解决非均匀的电流扩展和正向电流的减小。在常规肖特基二极管中,阳极电极和阴极电极都设置在一个表面上。阳极电极包括设置在该一个表面的一侧上的单个...
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