技术编号:7103842
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体集成电路,尤其涉及一种SOI BJT、应变SiGe回型沟道BiCMOS集成器件及制备方法。背景技术半导体集成电路是电子工业的基础,人们对电子工业的巨大需求,促使该领域的发展十分迅速;在过去的几十年中,电子工业的迅猛发展对社会发展及国民经济产生了巨大的影响;目前,电子工业已成为世界上规模最大的工业,在全球市场中占据着很大的份额,产值已经超过了 10000亿美元。Si CMOS集成电路具有低功耗、高集成度、低噪声和高可靠性等优点,在半导体集 成...
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