技术编号：7103884
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及存储器领域，更具体地，涉及MRAM器件及其制作方法。背景技术MRAM(磁阻随机存取存储器)是一种非易失性的计算机内存，能够存储一些比特的数字信息(二进制的O或I)。在传统的RAM元件中，数字数据被存储为电荷，而MRAM则通过磁存储元件中的电阻状态(高电阻或低电阻)将数字数据存储为比特态(O或1)，该状态无需恒定的电功率保持自己的状态。例如，磁性存储器件的实例可以包括固定(稳定)磁层、自由(可变)磁层、以及在固定(pinned)磁层和自由磁层之间插...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。