技术编号：7103969
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及包括多层属于III-V族化合物半导体的氮化物基半导体的外延片，特别涉及能够使用于异质结场效应晶体管的外延片的翘曲和结晶性的改良。需要说明的是，已知在这种氮化物基半导体外延片的异质结界面上能够产生二维电子气。背景技术例如，在制作能够使用于异质结场效应晶体管的、包括由GaN沟道层和AlGaN势垒层形成的异质结的外延片的情况下，由于GaN基板价格高，所以目前都是把所述氮化物半导体层结晶生长在蓝宝石或Si等不同材料的基板上。在Si基板上生长氮化物基半导体...
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