技术编号:7103991
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置及使用其的电力转换装置,尤其涉及适合具有沟槽绝缘栅构造的绝缘栅型双极晶体管(绝缘栅双极晶体管Insulated Gate Bipolar Transistor 以下,简称为“IGBT”)的半导体装置及使用其的电力转换装置。背景技术IGBT是通过向栅电极施加的电压来控制在集电极与发射电极之间流动的电流的整流元件。由于能够控制IGBT的电力从数十瓦到数十万瓦并且整流频率也从数十赫兹到百千赫兹以上的广阔范围,因此,从家庭用空调、电子微波炉等小...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。