技术编号:7104027
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体功率,涉及绝缘栅双极型晶体管(Insulate GateBipolar Transistor,简称IGBT),特别涉及沟槽栅双极型晶体管(Trench型IGBT),尤其是载流子存储沟槽双极型晶体管(carrier stored trench bipolar transistor,简称CSTBT)。背景技术绝缘栅双极型晶体管IGBT既有MOSFET的输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度高的优点,又具有双极型功率晶体管的电流密度大、饱...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。