技术编号：7104032
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体功率器件，涉及晶闸管，尤其是漂移区掺入了深能级元素的晶闸管。背景技术晶闸管具有大电流、高电压等优点，广泛应用于整流、无触点电子开关、逆变及变频电路及系统。传统的晶闸管，其结构如图I所示，当金属阳极3加正电压，金属栅极2加开启触发电流，为寄生NPN管提供基极电流时，寄生NPN管随之开启，开启后的寄生NPN管为寄生PNP管也提供了基极电流，从而寄生PNP管也开启，寄生PNP的开启又进一步为寄生NPN提供基极电流，这样就形成了正反馈，晶闸管NPN...
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