技术编号:7104048
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造领域,特别是指一种。背景技术沟槽的填充在半导体制造中是尤为关键的一步。目前,二氧化硅及其衍生品由于其良好的膜质特性被广泛使用于沟槽的填充。传统的制备工艺有旋涂式(Spin on Glass),亚大气压化学气相沉积法(SACVD Sub Atmosphere Chemical Vapor Deposition),等离子体化学气相沉积法(PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)和高...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。