技术编号：7104166
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及到一种III族氮化物半导体器件的制备方法。背景技术众所周知，半导体外延生长中总会遇到外延材料和衬底材料晶格失配的问题。因此，在III族氮化物与基片的匹配外延过程中，III族氮化物和基片之间会呈一定的拱形，这个拱形通过肉眼是无法辨别的，但是通过激光反射仪等装置下可得出，晶格差异越大，拱形的弧度也就越大。由于拱形是其自身的物理属性造成，因而是无法避免的。但是，在后续加工过程中，此拱形会带来非常大的问题，例如定位不准确而影响整个工艺流程的精度，从而使晶...
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