技术编号:7104712
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别是涉及一种纳米硅铁电存储器及其驱动方法。背景技术铁电存储器(FeRAM)是一种利用铁电材料的铁电效应实现数据存储的存储器结构,所述铁电效应是指在铁电材料(Ferro-Electric)上施加一定的电场时,晶体中心原子在电场的作用下偏离原位置,而达到一种稳定的状态,当外界电场消失后,中心原子依然保持在同样位置,即铁电材料已被极化,因此铁电存储器保持数据并不需要电压,也不需要像DRAM 一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电材料所固有的一...
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