技术编号:7104754
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件,尤其涉及一种耐高压绝缘栅双极型晶体管。背景技术在电力电子领域,绝缘双极型晶体管(IGBT)为保证1200V耐压,硅片厚度不能做的太薄,非穿通区(NPT)大于材料的最大耗尽深度。对于高耐压器件,由于硅片比较厚,致使导通电阻时,这样通态压降大,进而通态损耗较大。现有IGBT中,通过在N型半导体层中的基底层下设注入氢离子的缓冲层来缩小非穿通区的厚度,如国际整流公司于2001年4月25日的PCT申请《用于穿通非外延型绝缘栅双极型晶体管的缓冲区...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。