技术编号：7104895
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子器件，更特别地涉及用于碳化硅器件的边缘终端(edgetermination)。背景技术能够处理例如大约600V和大约2. 5 kV之间的电压的高电压碳化硅(SiC)肖特基二极管，预期与制造的具有类似额定电压的硅PIN 二极管相竞争。这种二极管可以处理大约100安培或更大的电流，这取决于它们的有效面积。高电压肖特基二极管具有多种重要应用，特别是在功率调节、分配和控制领域。SiC肖特基二极管在这些应用中的重要特性是它的开关速度。基于硅的PIN器...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。