技术编号:7104938
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在此所述的实施例涉及。背景技术氮化物半导体的特征在于它们的高饱和电子速率和宽带隙。因此,已经广泛地调查了氮化物半导体,旨在利用这些特性将它们应用到高击穿电压、高输出的半导体装置。例如,作为氮化物半导体的GaN具有3. 4eV的带隙,该带隙大于Si的带隙(1.1eV)和GaAs的带隙(1.4eV)。因此,GaN具有大的击穿场强。GaN因此作为用于构成电源设备的化合物半导体装置的材料很有希望,该电源设备能够在高压下运行并且能够产生大的输出。已经作出了关于利用氮...
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