技术编号:7105343
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种高压快速恢复ニ极管制造方法本发明属于半导体器件,尤其涉及高压快速恢复ニ极管的制造方法。背景技木作为续流和整流器的高压快速恢复ニ极管,在功率电子领域应用广泛,一般采用外延硅片加工制成。当要求击穿电压大于1200V时,要求外延层的厚度増加,而较厚的外延层エ艺难度高,加工成本昂贵。申请号为201010140971. 8的发明名称为“快速恢复ニ极管”的专利文件中公开了ー种快速恢复ニ极管,该ニ极管包括P型半导体层和与P型半导体层接触的N型半导体层,其中,横向上,...
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