技术编号:7105587
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种RFLDMOS隔离介质层深沟槽的刻蚀方法。背景技术在RFLDMOS (射频横向扩散型金属氧化场效应管)隔离介质层工艺中,厚场氧工艺结合了单晶硅回刻和深沟槽刻蚀工艺,使用了氧化膜-氮化膜-氧化膜这种膜层结构,导致在深沟槽硬掩膜干法刻蚀过程中,在硅片边缘斜面处以及光刻对准标记内有介质膜残留,从而在深硅沟槽干法刻蚀后,在硅片边缘斜面和光刻对准标记内出现大量的硅尖刺,如图1、2所示,经过后续的湿法清洗后,在硅片的表面...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。