技术编号：7105845
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明基本上涉及半导体电路制造工艺，更具体地来说，涉及在硅衬底上形成111族V族(II1-V)化合物半导体膜。背景技术由于III族V族化合物半导体(通常称作II1-V族化合物半导体，比如氮化镓(GaN)及其相关合金)在电子器件和光电器件中有着光明的应用前景，因此近些年来一直对其进行着深入细致的研究。许多II1-V化合物半导体的较大带隙并且较高电子饱和速度还使其成为了高温、高电压、和高速电力电子应用中极好的选择。应用了 II1-V化合物半导体的潜在电子设备的...
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