技术编号：7105866
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造、封装和测量，特别是涉及。背景技术集成电路的封装工艺会在集成电路芯片中引入应力。由于硅等半导体材料载流子迁移率会随应力变化，封装应力对集成电路的性能会造成显著影响。另外，封装应力随温度变化而引起的材料疲劳是造成集成电路失效的重要原因。一般需要通过材料、封装结构和工艺的优化降低封装应力。利用硅的压阻效应制备的应力传感器是封装应力测量的有力工具。压阻式应力传感器是利用硅的压阻效应(也就是载流子迁移率会随应力变化的效应)，通过测量应力导 致...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。