技术编号:7106056
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于太阳能电池,具体涉及。背景技术目前太阳电池的生产应用发展迅速,其中晶体硅太阳电池占据主流地位,普通的晶体硅电池采用“化学清洗制绒-高温气体扩散制Pn结-PECVD镀制减反射膜-丝网印刷金属浆料-高温烧结金属电极”的制作工艺,电池光电转换效率可到17%-18%。为进一步提高电池的效率,出现许多新的技术,其中选择性发射极是目前被认为未来一个主流的高效电池新技术。普通的高温气体扩散掺杂制pn结的技术可以在电池形成一个较均匀掺杂层,即形成太阳电池的发射极...
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