技术编号:7106078
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。使用溅射和蒸发功能形成硫族化合物半导体材料的方法和系统本发明一般而言涉及薄膜的形成。更具体来说,本发明涉及使用复合真空沉积设备形成硫族化合物(chalcogenide)半导体材料。背景技术硫族化合物半导体材料用于多种用途并且近些年来它们的普遍性日益增加。硫族化合物是硫族元素和更具阳电性的元素或自由基的二元化合物。硫族元素是周期表中16族元素氧、硫、硒、碲、和钋。一种特别普及的硫族化合物半导体材料是硒化铜铟镓 (CIGS)。发现了 CIGS材料在各种用途中的...
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