技术编号:7106146
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于以紫外线照射的半导体发光器件。背景技术氮化物半导体,典型地如GaN、AIN、InN以及其混和晶体是直接跃迁半导体材料。氮化物半导体的特性是其带隙能量大于基于AlGaInAs半导体或基于AlGaInP半导体。因此,这些氮化物半导体受到关注,作为构成在紫外区域的发光的半导体激光元件、用于在紫外区域或者深紫外区域发光(波长范围是大约320nm到200nm) LED元件以及其它半导体发光元件的材料。 在具有260到280nm的波长的紫外区域或深紫外区...
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