技术编号:7106371
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子,涉及一种微电子的低功耗相变存储单元及其制备方法,特别是涉及一种。背景技术与市场上主流的半导体存储技术相比,相变存储器具有很多优点,诸如高密度、低功耗、操作快、循环寿命长等,特别是在器件特征尺寸的微缩方面的优势尤为突出。因此,相变存储器被认为是下一代非挥发存储技术的最佳解决方案之一,在高密度、高速、低压、低功耗和嵌入式存储方面具有广阔的商用前景。相变存储器以硫系化合物为存储介质,在电脉冲下产生的焦耳热使材料在晶态 (低阻)与非晶态(高阻)之...
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