技术编号：7106539
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制备半导体薄膜的原料。 背景技术近年来半导体铁化合物薄膜受到广泛重视，如半导体硫化铁1 、半导体氧化铁 I^eOx等。与传统化合物不同，在化学结构上它们属于一类特殊的非整比化合物，即X可以不为简单化学价之比，甚至可以是为无理数。而通过改变X，薄膜性质可以实现从绝缘体到半导体再到导体的变化。半导体薄膜具备的半导体特性，可使其作为光伏转换及太阳能电池中的材料；当X在某些特定数值范围以内时，这类半导体薄膜还具有光催化等其他特性。 人们迫切需要一种低能...
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