技术编号：7106755
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体发光元件制作方法，更具体地是一种具有低串联电阻和良好P型欧姆接触的GaN基LED芯片的制作方法。背景技术固态发光器件的发光二极管具有低能耗，高寿命，稳定性好，体积小，响应速度快以及发光波长稳定等良好光电特性，被广泛应用于照明、家电、显示屏及指示灯等领域。此类型发光器件在光效、使用寿命等方面均已有可观的进步，有希望成为新一代照明及发光器件主流。虽然GaN基器件在近年来取得了相当大的进展，但是由于较难实现低阻的P型GaN欧姆接触，GaN基高...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。