技术编号：7106859
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体薄膜制备，尤其涉及一种。背景技术氮化镓(GaN)属于第三代半导体材料，属六角纤锌矿结构，是半导体照明中发光二极管、短波长激光器、紫外探测器及高温大功率器件的核心组成部分，在工业上一般采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)来进行制备。自然界缺乏天然的GaN体单晶材料，目前的工作主要在蓝宝石、SiC,Si等衬底上进行异质外延进行的。由于GaN和衬底间的晶格失配和热失配，导致异质外延GaN薄膜中具有高的位错密度，导致其应变和应力大大提高，从而...
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