技术编号:7106873
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体器件,特别地带有埋置电极的半导体器件。背景技术垂直半导体器件经常具有在器件的不同侧面上的电连接。在其上制造垂直半导体器件的半导体基板能够在它的后侧处薄化从而结构诸如发射器、金属触点或者其它器件能够在基板的薄化后侧处形成。例如,外延层通常在高掺杂的半导体基板上生长并且在前侧处执行各种工艺以形成包括例如晶体管的有源器件区域。基板的后侧然后薄化并且金属在薄化后侧上沉积以形成电极。然而,保留在前侧处的有源器件区域和后侧金属化之间的硅材料增加了器件的...
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