技术编号:7107018
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种作为在硅基板上形成硅锗膜之前的工序对该硅基板进行处理的基板处理方法及基板处理装置。背景技术近年来,在硅基板上形成晶体管时,在成为沟道(channel)部的硅层附近形成硅锗(Si-Ge)膜,由此使该硅层发生应变,在使沟道部的硅层发生了应变的晶体管中,能够进行高速的动作。此外,在日本特开2006-86411号公报中,公开了如下方法,即,在由于干法工艺 (dry process)而使低介电常数覆膜受到了损伤(damage)的基板中,通过恢复该损伤,...
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