技术编号:7107075
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于功率半导体器件,涉及集成电路芯片的静电释放(Electro-static Discharge,简称为ESD)保护电路,尤指一种具有ESD保护功能的LIGBT(Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor横向绝缘栅双极晶体管)器件结构。背景技术静电放电现象是半导体器件或集成电路在制造、封装、测试、存放、使用等过程中的一种常见现象,往往会造成半导体器件或集成电路的永久性损坏,并因此造成严重的损失。为了解决这个问题...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。