技术编号:7107229
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种基于硅衬底氮化物的HEMT器件及其制备方法,属于信息材料与器件。背景技术III族氮化物的高电子迁移率、大击穿电压特性和压电性能,能够满足研制高速、大功率晶体管高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor, HEMT)及压电器件的要求。AlGaN/GaN异质结构导带偏移较大,在异质结界面附近产生很强的自发极化和压电极化,感生出很强的界面电荷和电场,积聚起高浓度的二维电子气。AlGaN/GaN异质结界面的...
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