技术编号:7107321
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体,具体涉及一种。背景技术第三代宽禁带半导体材料氮化镓由于具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、导热性能好等特点,所以比硅和砷化镓更适合于制作高温、高频、高压和大功率的器件。氮化镓器件在高频大功率微波器件方面有很好的应用前景,从20世纪90年代至今,氮化镓器件的研制一直是电子器件研究的热点之一。由于氮化镓本征衬底的缺乏,氮化镓器件都是在异质衬底上制成,比如说蓝宝石、碳化硅和硅。而这几种衬底当中,硅衬底具有最大的尺寸(200_)和最低...
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