技术编号:7107374
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种超级结器件;本发明还涉及一种超级结器件的制造方法。背景技术超级结MOSFET (金氧半场效晶体管)器件采用新的耐压层结构_利用一系列的交替排列的P型和N型半导体薄层来在截止状态下在较低电压下就将P型N型区耗尽,实现电荷相互补偿,从而使P型N型区在高掺杂浓度下能实现高的击穿电压,从而同时获得低导通电阻和高击穿电压,打破传统功率MOSFET理论极限。如图1所示,是现有超级结器件的结构示意图;该超级结器件为一超级结...
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