技术编号：7107404
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体材料领域，尤其是涉及一种制造镁掺杂半导体薄膜的方法及其半导体薄膜。背景技术在宽禁带半导体(如氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)及氧化锌(ZnO))中实现高效率空穴掺杂是限制其在光电器件上应用的技术难题。 普通半导体的电导率由掺杂物的浓度决定，然而对宽禁带半导体而言，空穴的超高热激活能导致P型杂质掺杂的掺杂效率极低，目前氮化镓中镁的掺杂效率低至1%以下。过度提高镁的掺杂浓度不仅会导致材料缺陷增加，而且会使得材料的极性发生改变。因此不能过度提高...
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