技术编号：7107786
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域铜互连大马士革制造工艺，尤其涉及。背景技术随着半导体芯片的集成度不断提高，晶体管的特征尺寸不断缩小。在晶体管的特征尺寸进入到130纳米技术节点之后，由于铝的高电阻特性，铜互连逐渐替代铝互连成为金属互连的主流，现在广泛采用的铜导线的制作方法是大马士革工艺的镶嵌技术，其中沟槽优先双大马士革工艺是实现铜导线和通孔铜一次成形的方法之一。如图Ia-If为沟槽优先双大马士革工艺的结构流程示意图。如图Ia所示，在衬底硅片11上首先沉积低介电常数介...
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